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Physik der Halbleiterbauelemente


Physik der Halbleiterbauelemente


1. Aufl.

von: Simon M. Sze, Yiming Li, Kwok K. Ng

84,99 €

Verlag: Wiley-VCH
Format: PDF
Veröffentl.: 08.09.2021
ISBN/EAN: 9783527828272
Sprache: deutsch
Anzahl Seiten: 912

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Beschreibungen

<b>Physik der Halbleiterbauelemente</b> <p><b>Das Standardwerk zur Physik der Halbleiterbauelemente – erstmals auf Deutsch!</b> <p>Dieses einzigartige Buch, geschrieben von Pionieren auf dem Gebiet, behandelt sämtliche Aspekte der Physik der Halbleiterbauelemente, die zu deren Verständnis, Betrieb, Weiter- und Neuentwicklung notwendig sind. Wie das englische Original ist die deutsche Ausgabe ein äußerst nützliches Nachschlagewerk in der industrieorientierten Halbleiterforschung und eignet sich ebenfalls ausgezeichnet als Einstiegsliteratur für Studierende sowie als Unterrichtsmaterial für Vortragende. <p>Bei der deutschen Ausgabe wurde besonderer Wert auf eine gute Lesbarkeit gelegt und daher die Übersetzung, teilweise unter Rückgriff auf die von den Autoren zitierten Originalquellen, so gestaltet, dass unnötige Anglizismen vermieden werden. Das englische Fachvokabular ist ergänzend an den entsprechenden Stellen im Text eingearbeitet, um den Leserinnen und Lesern den Gebrauch der englischsprachigen Fachliteratur zu erleichtern. Gelegentliche Anmerkungen im Text und Verweise auf weitere Originalquellen tragen zusätzlich zum besseren Verständnis der Materie bei. <p>Als das Referenzwerk schlechthin ist der „Sze“ ein Muss für alle, die sich in Forschung, Entwicklung und Lehre mit Halbleiterbauelementen beschäftigen. Die Inhalte sind kompakt und präzise beschrieben und eignen sich perfekt für den Einstieg in das jeweilige Gebiet, komplettiert durch vertiefende Übungsbeispiele zu jedem Kapitel. <p><i>Physik der Halbleiterbauelemente</i> bietet eine unerreichte Detailfülle und ausführliche Informationen über die Physik und den Betrieb aller relevanten Halbleiterbauelemente, mit 1000 Literaturangaben, 650 technischen Illustrationen sowie 25 Tabellen mit Material- und Bauelementparametern. <p>Aus dem Inhalt: <ul><li>Halbleiterphysik-Grundlagen</li> <li>p-n Übergänge</li> <li>Metall-Halbleiter-Kontakte</li> <li>MIS-Kondensatoren</li> <li>Bipolartransistoren</li> <li>MOSFETs</li> <li>Nichtflüchtige Speicher</li> <li>JFETs</li> <li>MESFETs und MODFETs</li> <li>Tunnel-Bauelemente</li> <li>IMPATT-Dioden</li> <li>TE- und RST-Devices</li> <li>Thyristoren und Leistungsbauelemente</li> <li>Photodetektoren und Solarzellen</li> <li>Sensoren</li></ul>
<p>Vorwort v</p> <p>Vorwort des Übersetzers vii</p> <p>Biografien xvii</p> <p>Einführung xix</p> <p><b>Teil I Halbleiterphysik </b><b>1</b></p> <p><b>1 Physik und Eigenschaften von Halbleitern – ein Überblick </b><b>3</b></p> <p>1.1 Einleitung 3</p> <p>1.2 Kristallstrukturen 3</p> <p>1.2.1 Primitive Einheitszellen und Kristallebenen 3</p> <p>1.2.2 Das reziproke Gitter 6</p> <p>1.3 Energiebänder und Bandlücken 7</p> <p>1.4 Ladungsträgerkonzentrationen im thermischen Gleichgewicht 11</p> <p>1.4.1 Ladungsträgerkonzentration und Fermi-Niveau 12</p> <p>1.4.2 Donatoren und Akzeptoren 15</p> <p>1.4.3 Berechnung des Fermi-Niveaus 16</p> <p>1.5 Ladungsträgertransportphänomene 21</p> <p>1.5.1 Drift und Beweglichkeit 21</p> <p>1.5.2 Spezifischer Widerstand und Hall-Effekt 23</p> <p>1.5.3 Transport bei hohen elektrischen Feldern 28</p> <p>1.5.4 Rekombination, Generation und Ladungsträgerlebensdauer 32</p> <p>1.5.5 Diffusion 37</p> <p>1.5.6 Thermionische Emission 39</p> <p>1.5.7 Tunnelprozesse 39</p> <p>1.5.8 Raumladungseffekte 40</p> <p>1.6 Phononen, optische und thermische Eigenschaften 41</p> <p>1.6.1 Phononenspektren 41</p> <p>1.6.2 Optische Eigenschaften 43</p> <p>1.6.3 Thermische Eigenschaften 45</p> <p>1.7 Heteroübergänge und Nanostrukturen 47</p> <p>1.8 Halbleitergrundgleichungen und Anwendungsbeispiele 54</p> <p>1.8.1 Halbleitergrundgleichungen 54</p> <p>1.8.2 Anwendungsbeispiele 58</p> <p><b>Teil II Grundstrukturen der Halbleiter-Bauelemente </b>71</p> <p><b>2 <i>p-n</i>-Übergänge </b>73</p> <p>2.1 Einleitung 73</p> <p>2.2 Raumladungszonen 73</p> <p>2.2.1 Abrupter <i>p-n</i>-Übergang 73</p> <p>2.2.2 Linearer <i>p-n</i>-Übergang 80</p> <p>2.2.3 Beliebige Dotierprofile 82</p> <p>2.3 Strom-Spannungs-Kennlinien 83</p> <p>2.3.1 Die Shockley-Gleichung 83</p> <p>2.3.2 Generations- und Rekombinationsprozesse 89</p> <p>2.3.3 Starke Injektion 91</p> <p>2.3.4 Diffusionskapazität 93</p> <p>2.4 <i>p-n</i>-Übergänge im Durchbruchsbereich 95</p> <p>2.4.1 Thermische Instabilität 95</p> <p>2.4.2 Tunneleffekt 96</p> <p>2.4.3 Lawinenmultiplikation 97</p> <p>2.5 Transientes Verhalten und Rauschen 107</p> <p>2.5.1 Transientes Verhalten 107</p> <p>2.5.2 Rauschen 109</p> <p>2.6 Der <i>p-n</i>-Übergang als Bauelement 110</p> <p>2.6.1 Gleichrichter 111</p> <p>2.6.2 Zener-Diode 112</p> <p>2.6.3 Varistor 112</p> <p>2.6.4 Varaktor 112</p> <p>2.6.5 Dioden mit kurzer Erholungszeit 114</p> <p>2.6.6 Speicherschaltdiode 114</p> <p>2.6.7 <i>p-i-n</i>-Diode 115</p> <p>2.7 Heteroübergänge 117</p> <p>2.7.1 Anisotyper Heteroübergang 117</p> <p>2.7.2 Isotyper Heteroübergang 120</p> <p><b>3 Metall-Halbleiter-Kontakte </b><b>127</b></p> <p>3.1 Einleitung 127</p> <p>3.2 Entstehung der Schottky-Barriere 127</p> <p>3.2.1 Ideale Bedingungen 128</p> <p>3.2.2 Raumladungszonen 129</p> <p>3.2.3 Grenzflächenzustände 131</p> <p>3.2.4 Reduktion der Barrierenhöhe durch Spiegelladungen 137</p> <p>3.2.5 Beeinflussung der Barrierenhöhe 142</p> <p>3.3 Transportprozesse 144</p> <p>3.3.1 Thermionische Emissionstheorie 145</p> <p>3.3.2 Diffusionstheorie 149</p> <p>3.3.3 Thermionische Emissions-Diffusions-Theorie 150</p> <p>3.3.4 Tunnelströme 153</p> <p>3.3.5 Injektion vom Minoritätsladungsträgern 157</p> <p>3.3.6 MIS-Tunneldioden 160</p> <p>3.4 Bestimmung der Barrierenhöhe 162</p> <p>3.4.1 Strom-Spannungs-Messung 162</p> <p>3.4.2 Messung der Aktivierungsenergie 165</p> <p>3.4.3 Kapazitäts-Spannungs-Messungen 166</p> <p>3.4.4 PhotoelektrischeMessung 167</p> <p>3.4.5 Gemessene Barrierenhöhen 169</p> <p>3.5 Diodenstrukturen 171</p> <p>3.6 Ohmsche Kontakte 177</p> <p><b>4 Metall-Isolator-Halbleiter-Kondensatoren </b><b>187</b></p> <p>4.1 Einleitung 187</p> <p>4.2 Idealer MIS-Kondensator 187</p> <p>4.2.1 Oberflächenraumladungszone 189</p> <p>4.2.2 Ideale MIS-Kapazitätskurven 193</p> <p>4.3 Der Silizium-MOS-Kondensator 200</p> <p>4.3.1 Grenzflächenzustände 203</p> <p>4.3.2 Bestimmung der Dichte von Grenzflächenzuständen 205</p> <p>4.3.3 Oxidladungen und Differenz der Austrittsarbeit 212</p> <p>4.3.4 Dicke der Akkumulations- und Inversionsschicht 217</p> <p>4.4 Ladungsträgertransport inMOS-Kondensatoren 224</p> <p>4.4.1 Ladungsträgertransport 224</p> <p>4.4.2 Nichtgleichgewicht und Lawineneffekte 230</p> <p>4.4.3 Dielektrischer Zusammenbruch 233</p> <p><b>Teil III Transistoren </b><b>243</b></p> <p><b>5 Bipolartransistoren </b><b>245</b></p> <p>5.1 Einleitung 245</p> <p>5.2 Statische Eigenschaften 246</p> <p>5.2.1 Grundlegende Beziehungen zwischen Strom und Spannung 246</p> <p>5.2.2 Stromverstärkung 251</p> <p>5.2.3 Ausgangskennlinien 256</p> <p>5.2.4 Nicht ideale Effekte 259</p> <p>5.3 Kompaktmodelle von Bipolartransistoren 263</p> <p>5.3.1 Das Ebers-Moll-Modell 264</p> <p>5.3.2 Das Gummel-Poon-Modell 266</p> <p>5.3.3 Die Modelle MEXTRAM und VBIC 268</p> <p>5.3.4 Das HICUM und andere Modelle 271</p> <p>5.4 Mikrowelleneigenschaften 273</p> <p>5.4.1 Grenzfrequenz 273</p> <p>5.4.2 Kleinsignalcharakterisierung 277</p> <p>5.4.3 Schaltverhalten 281</p> <p>5.4.4 Geometrie und Leistung der Bauelemente 283</p> <p>5.5 Leistungstransistoren und Logikschaltungen 285</p> <p>5.5.1 Leistungstransistoren 285</p> <p>5.5.2 Einfache Logikschaltungen mit Bipolartransistoren 289</p> <p>5.6 Heterobipolartransistoren 290</p> <p>5.6.1 Doppelheterobipolartransistor 293</p> <p>5.6.2 Bipolartransistor mit abgestufter Bandlücke 294</p> <p>5.6.3 Hot-Electron-Transistor 295</p> <p>5.7 Selbsterhitzungseffekte 296</p> <p><b>6 MOSFETs </b><b>305</b></p> <p>6.1 Einleitung 305</p> <p>6.1.1 Der MOSFET-Stammbaum 306</p> <p>6.1.2 Kategorisierung von Feldeffekttransistoren 308</p> <p>6.2 Grundlegende Bauteilcharakteristiken 309</p> <p>6.2.1 Die Inversionsladung im Kanal 311</p> <p>6.2.2 Strom-Spannungs-Kennlinien 315</p> <p>6.2.3 Schwellspannung 326</p> <p>6.2.4 Der Unterschwellenbereich 327</p> <p>6.2.5 Beweglichkeitsverhalten 331</p> <p>6.2.6 Temperaturabhängigkeit des MOSFET 333</p> <p>6.3 Bauelemente mit inhomogener Dotierung und vergrabenem Kanal 335</p> <p>6.3.1 Das Hoch-Niedrig-Dotierprofil 337</p> <p>6.3.2 Das Niedrig-Hoch-Dotierprofil 342</p> <p>6.3.3 Bauelemente mit vergrabenem Kanal 343</p> <p>6.4 Bauelementeskalierung und Kurzkanaleffekte 346</p> <p>6.4.1 Skalierung von Bauelementen 348</p> <p>6.4.2 Ladungsbeitrag von Source und Drain 351</p> <p>6.4.3 Kanallängenmodulation 353</p> <p>6.4.4 Draininduzierte Barrierenabsenkung (DIBL) 353</p> <p>6.4.5 Charakteristische Fluktuationen 356</p> <p>6.4.6 Lawinendurchbruch und Oxidzuverlässigkeit 358</p> <p>6.5 MOSFET-Strukturen 363</p> <p>6.5.1 Dotierprofil des Ladungsträgerkanals 363</p> <p>6.5.2 Gatestapel 363</p> <p>6.5.3 Source-Drain-Design 365</p> <p>6.5.4 SOI und TFT 368</p> <p>6.5.5 Dreidimensionale Strukturen 372</p> <p>6.5.6 Leistungs-MOSFETs 374</p> <p>6.6 Schaltungsanwendungen 375</p> <p>6.6.1 Kompaktmodelle vonMOSFETs 375</p> <p>6.6.2 Ersatzschaltkreise und Mikrowelleneigenschaften 376</p> <p>6.6.3 Grundlegende Schaltungsblöcke 378</p> <p>6.7 NCFET und TFET 380</p> <p>6.7.1 Feldeffekttransistorenmit negativer Kapazität 380</p> <p>6.7.2 Tunnelfeldeffekttransistoren 382</p> <p>6.8 Der Einzelelektronentransistor 385</p> <p><b>7 Nicht flüchtige Speicher </b><b>405</b></p> <p>7.1 Einleitung 405</p> <p>7.2 Das Konzept des Floating-Gate 406</p> <p>7.3 Speicherstrukturen 411</p> <p>7.3.1 Der Floating-Gate-Speicher 411</p> <p>7.3.2 Der Floating-Trap- oder Charge-Trapping-Speicher 414</p> <p>7.4 Kompaktmodelle von Floating-Gate-Speicherzellen 417</p> <p>7.4.1 Das klassische kapazitiveModell 417</p> <p>7.4.2 Das Ladungsbilanzmodell 419</p> <p>7.5 Mehrstufige Zellen und dreidimensionale Strukturen 420</p> <p>7.5.1 Multilevelzellen 420</p> <p>7.5.2 Dreidimensionale (3-D) Strukturen 423</p> <p>7.6 Herausforderungen bei der Skalierung 432</p> <p>7.7 Alternative Speicherstrukturen 437</p> <p>7.7.1 FeRAM 438</p> <p>7.7.2 PCRAM 439</p> <p>7.7.3 ReRAM 441</p> <p>7.7.4 Magnetisches Spin-Transfer-Torque-RAM (STT-MRAM) 443</p> <p><b>8 JFETs, MESFETs und MODFETs </b><b>455</b></p> <p>8.1 Einleitung 455</p> <p>8.2 JFET und MESFET 456</p> <p>8.2.1 <i>I-V</i>-Kennlinien 457</p> <p>8.2.2 Beliebige Dotierprofile und Bauelemente im Anreicherungsmodus 469</p> <p>8.2.3 Mikrowelleneigenschaften 472</p> <p>8.2.4 MESFET-Strukturen 477</p> <p>8.3 MODFET 479</p> <p>8.3.1 Grundlegende HEMT-Strukturen 481</p> <p>8.3.2 <i>I-V</i>-Kennlinien 482</p> <p>8.3.3 Ersatzschaltkreise und Mikrowellenverhalten 485</p> <p>8.3.4 Moderne Bauelementestrukturen 486</p> <p>8.3.5 GaN-HEMTs 488</p> <p><b>Teil IV Bauelementemit negativemWiderstand und Leistungsbauelemente </b><b>505</b></p> <p><b>9 Tunnelbauelemente </b><b>507</b></p> <p>9.1 Einleitung 507</p> <p>9.2 Tunneldioden 508</p> <p>9.2.1 Tunnelwahrscheinlichkeit und Tunnelstrom 511</p> <p>9.2.2 Strom-Spannungs-Kennlinien 517</p> <p>9.2.3 Die Tunneldiode als Oszillator 519</p> <p>9.3 Verwandte Tunnelbauelemente 522</p> <p>9.3.1 Die Rückwärtsdiode 522</p> <p>9.3.2 MIS-Tunnelstrukturen 524</p> <p>9.3.3 MIS-Schaltdiode 531</p> <p>9.3.4 MIM-Tunneldiode 534</p> <p>9.3.5 Der Hot-Electron-Transistor 536</p> <p>9.4 Resonante Tunneldioden 540</p> <p><b>10 IMPATT-Dioden, TE- und RST-Devices </b><b>553</b></p> <p>10.1 Einleitung 553</p> <p>10.2 IMPATT-Dioden 554</p> <p>10.2.1 Elektrische Eigenschaften 554</p> <p>10.2.2 Leistung, Effizienz und Rauschen 565</p> <p>10.2.3 Eigenschaften von IMPATT-Dioden 574</p> <p>10.2.4 BARITT- und TUNNETT-Dioden 576</p> <p>10.3 Transferred Electron Devices 582</p> <p>10.3.1 Transferred-Electron-Effekt 583</p> <p>10.3.2 Eigenschaften und Funktionen von Gunn-Dioden 592</p> <p>10.4 Real-Space-Transfer Devices 602</p> <p>10.4.1 Real-Space-Transfer (RST)-Diode 602</p> <p>10.4.2 Real-Space-Transfer-Transistor 604</p> <p><b>11 Thyristoren und Leistungsbauelemente </b><b>615</b></p> <p>11.1 Einleitung 615</p> <p>11.2 Thyristorkennlinien 616</p> <p>11.2.1 Blockierverhalten in Rückwärtsrichtung 618</p> <p>11.2.2 Blockierverhalten in Vorwärtsrichtung 621</p> <p>11.2.3 Einschaltmechanismen 624</p> <p>11.2.4 Leitfähigkeit in Vorwärtsrichtung 627</p> <p>11.2.5 Statische <i>I-V</i>-Kurven 632</p> <p>11.2.6 Einschalt- und Ausschaltzeiten 633</p> <p>11.3 Thyristorvarianten 636</p> <p>11.3.1 Thyristor mit Gateabschaltung 636</p> <p>11.3.2 Diac und Triac 639</p> <p>11.4 Andere Leistungsbauelemente 642</p> <p>11.4.1 Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate 642</p> <p>11.4.2 Elektrostatischer Influenztransistor 647</p> <p>11.4.3 Statischer Influenzsthyristor 651</p> <p><b>Teil V Photonische Bauelemente und Sensoren </b><b>661</b></p> <p><b>12 LEDs und Laser </b><b>663</b></p> <p>12.1 Einleitung 663</p> <p>12.2 Strahlende Übergänge 664</p> <p>12.2.1 Emissionsspektren 665</p> <p>12.2.2 Methoden der Anregung 667</p> <p>12.3 Lichtemittierende Dioden (LEDs) 668</p> <p>12.3.1 LED-Strukturen 670</p> <p>12.3.2 Materialauswahl 671</p> <p>12.3.3 Definitionen derWirkungsgrade 674</p> <p>12.3.4 Weißlicht-LEDs 679</p> <p>12.3.5 Frequenzgang 681</p> <p>12.4 Laserphysik 682</p> <p>12.4.1 Stimulierte Emission und Besetzungsinversion 683</p> <p>12.4.2 Optischer Resonator und optische Verstärkung 686</p> <p>12.4.3 Wellenleiter 687</p> <p>12.5 Laserbetrieb 691</p> <p>12.5.1 Lasermaterialien und Laserstrukturen 691</p> <p>12.5.2 Schwellstrom 697</p> <p>12.5.3 Emissionsspektren undWirkungsgrade 700</p> <p>12.5.4 Fernfeldmuster 701</p> <p>12.5.5 Einschaltverzögerung und Modulationsverhalten 704</p> <p>12.5.6 Wellenlängenabstimmung 706</p> <p>12.5.7 Alterungsprozesse in Halbleiterlasern 707</p> <p>12.6 Spezielle Laser 708</p> <p>12.6.1 Quantentopf-, Quantendraht- und Quantenpunktlaser 708</p> <p>12.6.2 Oberflächenemittierende Laser mit vertikalem Resonator (VCSEL) 710</p> <p>12.6.3 Quantenkaskadenlaser 711</p> <p>12.6.4 Optischer Halbleiterverstärker 712</p> <p><b>13 Photodetektoren und Solarzellen </b><b>721</b></p> <p>13.1 Einleitung 721</p> <p>13.2 Photoleiter 725</p> <p>13.3 Photodioden 728</p> <p>13.3.1 Allgemeine Betrachtungen 728</p> <p>13.3.2 <i>p-i-n</i>- und <i>p-n</i>-Photodioden 730</p> <p>13.3.3 Heterostrukturphotodioden 735</p> <p>13.3.4 Metall-Halbleiter-Photodioden 735</p> <p>13.4 Lawinenphotodioden 738</p> <p>13.4.1 Lawinenverstärkung 738</p> <p>13.4.2 Lawinenmultiplikationsrauschen 740</p> <p>13.4.3 Signal-Rausch-Verhältnis 742</p> <p>13.4.4 Designaspekte von Lawinenphotodioden 743</p> <p>13.5 Phototransistoren 748</p> <p>13.6 Charge-Coupled Devices (CCDs) 751</p> <p>13.6.1 CCD-Bildsensor 751</p> <p>13.6.2 CCD-Schieberegister 756</p> <p>13.6.3 CMOS-Bildsensoren 762</p> <p>13.7 Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren 764</p> <p>13.8 Quantum-Well-Infrarotphotodetektoren (QWIPs) 767</p> <p>13.9 Solarzellen 771</p> <p>13.9.1 Einleitung 771</p> <p>13.9.2 Sonneneinstrahlung und idealer Umwandlungswirkungsgrad 773</p> <p>13.9.3 Photostrom und spektrale Empfindlichkeit 778</p> <p>13.9.4 Solarzellenkonfigurationen 782</p> <p><b>14 Sensoren </b><b>799</b></p> <p>14.1 Einleitung 799</p> <p>14.2 Thermische Sensoren 801</p> <p>14.2.1 Thermistor 801</p> <p>14.2.2 Temperaturmessdiode 802</p> <p>14.2.3 Temperaturmesstransistor 803</p> <p>14.2.4 Thermosensoren aus alternativen Materialien 803</p> <p>14.2.5 Äquivalente Rauschleistung und Gütezahl thermischer Sensoren 805</p> <p>14.3 Mechanische Sensoren 807</p> <p>14.3.1 Dehnungsmessstreifen 807</p> <p>14.3.2 Interdigitalwandler 811</p> <p>14.3.3 Kapazitiver Sensor 815</p> <p>14.4 Magnetische Sensoren 816</p> <p>14.4.1 Hall-Platte 817</p> <p>14.4.2 Magnetowiderstand 820</p> <p>14.4.3 Magnetdiode 821</p> <p>14.4.4 Magnettransistor 822</p> <p>14.4.5 Magnetfeldempfindlicher Feldeffekttransistor 823</p> <p>14.4.6 Magnetfeldsensor mit Ladungsträgerdomänen 825</p> <p>14.5 Chemische Sensoren 825</p> <p>14.5.1 Metalloxidsensoren 826</p> <p>14.5.2 Ionenempfindlicher Feldeffekttransistor 827</p> <p>14.5.3 Katalytische Metallsensoren 829</p> <p>14.6 Biosensoren 830</p> <p>Anhang A Liste der Symbole 839</p> <p>Anhang B Internationales Einheitensystem 847</p> <p>Anhang C Einheitenpräfixe 849</p> <p>Anhang D Das griechische Alphabet 851</p> <p>Anhang E Physikalische Konstanten 853</p> <p>Anhang F Eigenschaften der wichtigsten Halbleiter 855</p> <p>Anhang G Das Bloch-Theoremund die Energiebänder im reziproken Gitter 857</p> <p>Anhang H Eigenschaften von Si und GaAs 859</p> <p>Anhang I Die Boltzmann-Transportgleichung und das hydrodynamische Modell 861</p> <p>Anhang J Eigenschaften von SiO<sub>2</sub> und Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> 867</p> <p>Anhang K Kompaktmodelle von Bipolartransistoren 869</p> <p>Anhang L Die Entdeckung des Floating-Gate-Speicher-Effekts 877</p> <p>Stichwortverzeichnis 879</p>
<p><b>Die Autoren</b></p> <p><b><i>Simon M.</B> Sze ist Lehrstuhlinhaber an der National Chiao Tung University, Taiwan. Er hat bahnbrechende Beiträge zur Entwicklung von Halbleiterbauelementen geleistet und ist Miterfinder der Grundlage aller nichtflüchtigen Halbleiterspeicher wie Flash-Speicher und EEPROMs.</i> <p><b><i>Yiming Li</B> ist Professor an der National Chiao Tung University, Taiwan. In der Abteilung für Elektro- und Computertechnik forscht er zu computerorientierter Elektronik, Bauteilphysik, Halbleiternanostrukturen sowie der Modellierung und Simulation von Schaltkreisen.</i> <p><B><i>Kwok K. Ng</B> ist Senior Director bei der Semiconductor Research Corporation im Research Triangle Park, North Carolina, USA. Zuvor hat er langjährig in Führungspositionen bei Agere Systems, Lucent Technologies, MVC und den Bell-Laboratorien von AT&T gearbeitet.</i> <p><B>Der Übersetzer</b> <p><b><i>Jürgen Smoliner</b> ist Professor am Institut für Festkörperelektronik der Technischen Universität Wien. Seine Forschungsaktivitäten liegen auf den Gebieten der Charakterisierung von Halbleiter- Bauelementen mit verschiedenen Raster-Sonden Methoden sowie der Untersuchung des Stromtransports in Nanostrukturen.</i>
<p><b>Das Standardwerk zur Physik der Halbleiterbauelemente – erstmals auf Deutsch!</b></p> <p>Dieses einzigartige Buch, geschrieben von Pionieren auf dem Gebiet, behandelt sämtliche Aspekte der Physik der Halbleiterbauelemente, die zu deren Verständnis, Betrieb, Weiter- und Neuentwicklung notwendig sind. Wie das englische Original ist die deutsche Ausgabe ein äußerst nützliches Nachschlagewerk in der industrieorientierten Halbleiterforschung und eignet sich ebenfalls ausgezeichnet als Einstiegsliteratur für Studierende sowie als Unterrichtsmaterial für Vortragende. <p>Bei der deutschen Ausgabe wurde besonderer Wert auf eine gute Lesbarkeit gelegt und daher die Übersetzung, teilweise unter Rückgriff auf die von den Autoren zitierten Originalquellen, so gestaltet, dass unnötige Anglizismen vermieden werden. Das englische Fachvokabular ist ergänzend an den entsprechenden Stellen im Text eingearbeitet, um den Leserinnen und Lesern den Gebrauch der englischsprachigen Fachliteratur zu erleichtern. Gelegentliche Anmerkungen im Text und Verweise auf weitere Originalquellen tragen zusätzlich zum besseren Verständnis der Materie bei. <p>Als das Referenzwerk schlechthin ist der „Sze“ ein Muss für alle, die sich in Forschung, Entwicklung und Lehre mit Halbleiterbauelementen beschäftigen. Die Inhalte sind kompakt und präzise beschrieben und eignen sich perfekt für den Einstieg in das jeweilige Gebiet, komplettiert durch vertiefende Übungsbeispiele zu jedem Kapitel. <p><i>Physik der Halbleiterbauelemente</i> bietet eine unerreichte Detailfülle und ausführliche Informationen über die Physik und den Betrieb aller relevanten Halbleiterbauelemente, mit 1000 Literaturangaben, 650 technischen Illustrationen sowie 25 Tabellen mit Material- und Bauelementparametern. <p>Aus dem Inhalt: <ul><li>Halbleiterphysik-Grundlagen</li> <li>p-n Übergänge</li> <li>Metall-Halbleiter-Kontakte</li> <li>MIS-Kondensatoren</li> <li>Bipolartransistoren</li> <li>MOSFETs</li> <li>Nichtflüchtige Speicher</li> <li>JFETs</li> <li>MESFETs und MODFETs</li> <li>Tunnel-Bauelemente</li> <li>IMPATT-Dioden</li> <li>TE- und RST-Devices</li> <li>Thyristoren und Leistungsbauelemente</li> <li>Photodetektoren und Solarzellen</li> <li>Sensoren</li></ul>

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